Το SS ορίζεται ως:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
όπου:
* $$V_{gs}$$ είναι η τάση πύλης προς πηγή
* Το $$I_{ds}$$ είναι το ρεύμα αποστράγγισης σε πηγή
Το SS συνήθως μετριέται σε millivolt ανά δεκαετία. Ένα χαμηλότερο SS υποδηλώνει ένα πιο αποδοτικό MOSFET, καθώς απαιτεί λιγότερη ταλάντευση τάσης για να αλλάξει το ρεύμα αποστράγγισης.
Το SS επηρεάζεται από διάφορους παράγοντες, όπως:
* Το πάχος του οξειδίου της πύλης
* Το ντόπινγκ των περιοχών πηγής και αποστράγγισης
* Το μήκος του καναλιού
* Η θερμοκρασία
Το πάχος του οξειδίου της πύλης είναι ο πιο σημαντικός παράγοντας που επηρεάζει το SS. Ένα λεπτότερο οξείδιο πύλης οδηγεί σε χαμηλότερο SS. Ωστόσο, ένα λεπτότερο οξείδιο πύλης καθιστά επίσης το MOSFET πιο ευαίσθητο σε καταστροφή.
Το ντόπινγκ των περιοχών πηγής και αποστράγγισης επηρεάζει επίσης τα SS. Μια υψηλότερη συγκέντρωση ντόπινγκ έχει ως αποτέλεσμα χαμηλότερο SS. Ωστόσο, μια υψηλότερη συγκέντρωση ντόπινγκ αυξάνει επίσης την παρασιτική αντίσταση του MOSFET, η οποία μπορεί να υποβαθμίσει την απόδοσή του.
Το μήκος του καναλιού είναι ένας άλλος σημαντικός παράγοντας που επηρεάζει το SS. Ένα μικρότερο μήκος καναλιού οδηγεί σε χαμηλότερο SS. Ωστόσο, ένα μικρότερο μήκος καναλιού καθιστά επίσης το MOSFET πιο ευαίσθητο σε εφέ μικρού καναλιού, που μπορεί να υποβαθμίσουν την απόδοσή του.
Η θερμοκρασία επηρεάζει επίσης το SS. Μια υψηλότερη θερμοκρασία έχει ως αποτέλεσμα υψηλότερο SS. Αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι η κινητικότητα των φορέων φόρτισης στο MOSFET μειώνεται καθώς αυξάνεται η θερμοκρασία, γεγονός που καθιστά δυσκολότερο για το MOSFET την εναλλαγή μεταξύ των καταστάσεων ενεργοποίησης και απενεργοποίησης.
Το SS είναι μια σημαντική αξία για τα MOSFET, καθώς δείχνει πόσο αποτελεσματικά μπορούν να αλλάξουν μεταξύ των καταστάσεων ενεργοποίησης και απενεργοποίησης. Με τη βελτιστοποίηση του σχεδιασμού του MOSFET, είναι δυνατό να επιτευχθεί χαμηλό SS, το οποίο μπορεί να βελτιώσει την απόδοση του MOSFET.